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Descoberta permite empilhar várias camadas de dados em um chip, aumentando a capacidade sem consumir muito espaço físico

Por Antonio Blanc

A Intel e a Numonyx (uma joint-venture em parceria com a ST Microelectronics) anunciaram nesta tarde, em uma teleconferência para a imprensa mundial, um novo marco no desenvolvimento de “Phase Change Memory” (PCM ou “memória de mudança de estado”), uma tecnologia que promete, em um futuro próximo, substituir a memória flash em aparelhos como smartphones e media players, e continuar a tendência de dispositivos com capacidade cada vez maior, ocupando um espaço físico cada vez menor.

A tecnologia PCM é baseada no uso de uma substância vítrea que é capaz de mudar de estado físico (amorfo ou cristalino) de acordo com a aplicação de calor. Desta forma, aquecendo áreas específicas é possível gravar um “zero” (amorfo) ou “um” (cristalino) no material. Uma vez gravada, a informação persiste mesmo sem energia elétrica, como na memória Flash, e pode ser usada em substituição desta em discos de estado sólido (SSDs) e pendrives. Mas ao contrário da memória Flash, a PRAM pode ser apagada “bit a bit”, enquanto a memória Flash só pode ser apagada em blocos inteiros de cada vez – o que se traduz em velocidade.

A descoberta da Intel consiste em um método de empilhar várias pastilhas de memória umas sobre as outras, aumentando a capacidade a cada nova camada. Como estas são literalmente microscópicas, várias camadas podem ser empilhadas sem um aumento significativo no tamanho físico do “chip” de memória final. A técnica só é possível graças à descoberta de um novo material para a composição de um “isolante” entre as camadas, que também serve como um “seletor” para definir qual camada será lida ou gravada. A Intel batizou a nova tecnologia de PCMS (Phase Change Memory and Switch).

O primeiro chip produzido com o novo processo tem capacidade de 64 MB e apenas uma camada e um seletor, e é uma prova de conceito. A produção em escala deve levar “alguns anos” segundo a Al Fazio, um “Intel Fellow” e Diretor de Desenvolvimento de Tecnologia de Memórias da empresa. De acordo com o executivo, a PCMS vai permitir que a memória PCM ultrapasse a barreira dos 20 nm, atualmente considerada o limite mínimo de miniaturização para os elementos de um chip de memória Flash NAND, e chegue a até 5 nm.

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